核医学：

Gamma Camera: g 相机；g 相机是指仅仅能够探测平面图象的发射型计算机成象仪，它能够探测静态，动态以及全身放射型核素分布。

ECT: Emission Computer Tomography 发射型计算机断层扫描仪。

SPECT: Single Photon Emission Computer Tomography 单光子发射计算机断层扫描仪。

PET: Positron Emission Topography 正电子发射型断层仪。

NEMA: National Electronic Manufactory Association 国家电器制造厂协会。

Detector: 核医学成象设备探头。探头是由准直器(Collimator)，晶体(Crystal)，光电倍增管(PMT)以及后续电路四部分构成。

Collimator: 准直器。准直器按临床应用分为：

LEGP: Low Energy General Purpose 低能通用准直器

LEHR: Low Energy High Resolution 低能高分辨准直器

MEGP: Medium Energy General Purpose 中能通用准直器

HEGP: High Energy General Purpose 高能通用准直器

准直器按制造工艺分为：

Fusion Collimator: 溶合型准直器

Micro-Cast Collimator: 微铸造型准直器

Master-Piece Collimator: 精制型准直器

Crystal: 晶体。目前常用的晶体是 NaI(Tl),即含铊的碘化钠晶体。

PMT: Photomultiplier Tube 光电倍增管。

A/D: Analog Digital Converter 模数转换器。

D/A: Digital analog converter 数模转换器。

All Digital Detector: 全数字化探头。探头内在每个 PMT 的前置放大器之后有一个模数转换器的探头为全数字化探头。所谓探头固有分辨率在 CFOV 和 UFOV 相等的讲法是错误的，因为对 ECT 而言探头的均匀度比分辨率更为重要。（删去）

Intrinsic Spatial Resolution: 固有空间分辨率。探头本身（不带准直器时）的分辨率被称为固有空间分辨率。分辨率的数值越小代表探头的分辨率越高。

Flood Field Uniformity ：泛源视野均匀度。探头本身（不带准直器时）的均匀度被称为泛源视野均匀度。它又被分为有效视野(UFOV)均匀度和中心视野(CFOV)均匀度。两种视野均用微分均匀度和积分均匀度两种参数描述。均匀度值越小说明探头均匀度越好。

Differential Uniformity: 微分均匀度

Integration Uniformity: 积分均匀度

Intrinsic Linearity: 固有线性。探头不带准直器时的线性被称为探头固有线性，固有线性又用绝对线性和微分线性两种参数描述。固有线性的值越小说明探头线性越好。

Absolute Linearity: 绝对线性

Differential Linearity: 微分线性

Energy Resolution: 能量分辨率，能量分辨率值越小探头性能越高。

Maximum Count Rate: 最大计数率。对于 ECT 或 GAMMA CAMERA 最关键的问题是提高探头的最大计数率。最大计数率越高同等条件下图象质量越高。

System Spatial Resolution: 系统空间分辨率。探头带有准直器时的分辨率被称为系统分辨率。探头使用不同准直器时，系统的空间分辨率就不同。系统的空间分辨率基本由准直器的分辨率决定。系统分辨率的平方等于固有空间分辨率的平方与准直器自身分辨率平方和的开方。即：Rs2 = Ri2 + Rc2 (Rs 为系统空间分辨率； Ri 为固有空间分辨率；Rc 为准直器分辨率)。

Resolution without Scatter: 不带散射体分辨率。

Resolution with Scatter: 带散射体分辨率。

System Uniformity: 系统均匀度。探头带准直器时的均匀度被称为系统均匀度。

System Linearity : 系统线性。探头带准直器时的线性被称为系统线性。

1. 欧姆定律计算：$I = \frac{U}{R}$ 。

2. 电压源与电流源的等效转换：$U = E - IR_0$， $I = \frac{E}{R_0} - \frac{U}{R_0}$， $I_S = \frac{E}{R_0}$ ， $R_S = R_0$， $I = I_S - \frac{

3. RC 电路时间常数计算（τ）：
   ①充电时间常数计算：$U_c = E(1 - e^{-t/RC})$

   ②放电时间常数计算：$U_c = Ee^{-t/RC}$， $i = \frac{E}{R}e^{-t/RC}$

4. 正弦交流电电流、电压变化规律公式：
   $u = U_m \sin(\omega t + \phi_u)$， $i = I_m \sin(\omega t + \phi_i)$；

   如 $u = 100 \sin 3140t$ 中，“100” 表示为最大值，“3140 表示为角频率”

   ①u、i 表示为电压、电流的瞬时值；

   ②$U_m$、$I_m$ 表示为电压、电流的最大值或幅值；

   ③$\omega$ 表示为角频率；

   ④$\phi_u$、$\phi_i$ 表示为初位相；

   ⑤$(\omega t + \phi_u)$、$(\omega t + \phi_i)$ 表示为位相。

5. 感抗：$X_L = \omega L = 2\pi fL$，感抗与频率成正比，频率越高，感抗越大。

6. 容抗：$X_C = \frac{1}{\omega C} = \frac{1}{2\pi fC}$，容抗与频率成反比，频率越高，容抗越小。

7. 时间常数与充放电关系：$\tau$ 值越小，充电越快；$\tau$ 值越小，放电越快。

8. 叠加定理应用：将各个理想电压源短路，使其电动势为零，各个理想电流源开路，使其电流为零。
   $I_1 = I_1' - I_1''$； $I_2 = I_2'' - I_2'$； $I_3 = I_3' + I_3''$

9. 基尔霍夫第一定律：流入点的电流之和应等于流出点的电流之和；节点：三条线或三条以上的线路的汇合点。

10. 基尔霍夫第二定律：沿任一闭合回路的电势增量的代数和等于零。列出回路方程：
    例如：先设定电流方向，$I_1 + I_2 - I_3 = 0$、$E_1 - I_1R_1 + I_2R_2 - E_2 = 0$。

11. 交流电路中，电容和电感的电流与电压的相位关系：
    在相量图中：①电感 L 的电压相量：$\dot{U}_L = \dot{I}X_L$，比电流相量 $\dot{I}$ 超前 90°；

②电容 C 的电压相量：$\dot{U}_C = \dot{I}X_C$，比电流相量 $\dot{I}$ 落后 90°；

③电阻 R 的电压相量：$\dot{U}_R = \dot{I}X_R$，与电流相量 $\dot{I}$ 同相位。

12. 戴维南定理应用：各个理想电压源短路，理想电流源开路。
    $I_3 = \frac{E}{R_0 + R_3}$， $R_0 = \frac{R_1 \times R_2}{R_1 + R_2}$ 。

13. RLC 串联电路计算谐振频率：$f_0 = \frac{1}{2\pi \sqrt{LC}}$ 。
    特征：①电路的总阻抗最小，电路中的电流最大；

②电源电压与电路中电流同相位，呈现纯电阻特性（纯电阻电路）；③电容、电感对整个电路不起作用。

第二章 放大器的基本原理

14. P(N)型半导体的多子、少子的定义：由于 N 型半导体中自由电子多于空穴，所以自由电子为 N 型半导体的多数载流子（多子）；空穴则是 N 型半导体的少数载流子（少子）。

15. PN 结构内电场对多子、少子运动的影响：对多子运动起阻碍作用，对少子运动有利。

16. 硅（锗）半导体的导通电压和死区电压是：

17. 稳压管正常工作区及特点：正常工作区在反向击穿区。特点：击穿后反向电流的变化范围较大，但稳压管两端的电压保持不变。

18. 三极管结构特点：发射区掺杂浓度最高；基区做得很薄，且掺杂浓度低；集电结面积最大。

19. 放大器输出电阻计算：P/55~57，习题 2-14、2-16

20. 非线性失真产生原因：因 Q 点位置设置不当或信号幅度过大。解决方法：输入合适工作点；减小信号幅度。

1.

测得某放大电路中的 BJT 三个电极 A、B、C 对地电位分别为 VA=9V、VB=6V、VC=6.7V，则 A 端是( B )。

① 基极 ② 集电极 ③ 发射极

答案：B

2.

函数式 Y(A, B, C, D) = AB + AD + AD + AC + BD + BD 用卡诺图化简的结果是· A. Y(A, B, C, D) = D + B + C + B. Y(A, B, C, D) = A + B + D⁺

33 / 38

错误!未找到引用源。C. $Y(A, B, C, D)=A+B+C$ 错误!未找到引用源。 D. $Y(A, B, C, D)=A+D+C$

答案：ABCD

3.

函数式 $Y(A, B, C, D)=\overline{A B}+A \overline{C} D+\overline{A B}+\overline{C D}$ 用卡诺图化简的结果是

A. $Y(A, B, C, D)=B+C$ 错误!未找到引用源。B. $Y(A, B, C, D)=B+D$

C. $Y(A, B, C, D)=\overline{B}+C$ 错误!未找到引用源。 D. $Y(A, B, C, D)=A+\overline{B}$

答案：ABCD

4.

$Y(A, B, C, D)=\sum m(0,1,2,3,6,8)+\sum d(10,11,12,13,14,15)$ 最简与或表达式

A. $Y(A, B, C)=A B+\overline{A B}+D+$ B. $Y(A, B, C)=A B+\overline{A B}+C$

错误!未找到引用源。C. $Y(A, B, C)=A \overline{B}+\overline{A B}+C D$ 错误!未找到引用源。

D. $A B+\overline{A B}+A C+C \overline{D}+A \overline{D}$

1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
D	C	D	A	B	A	D	D	D	D

理论 8

答案：ABCD

---

1.

电容 C、$R_L$ 大小与滤波效果关系？都越大越好。

2.

电阻，电容，电感是电路中的基本元器件，若要使几个相同性质并且大小相等的电阻、 电容、电感量值变小， 在接入电路时如何处理： （b ） A．并联，串联，串联 B．并联，串联，并联 C．串联，串联，并联 D．串联，并联，串联 E．串联，并联，并联

3.

本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中 加入微量三价元素，使空穴增多，形成 P 型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形 成 N 型半导体。 P 型半导体中多数载流子是 _，N 型半导体中多数载流子是 _；多数载流 子的运动称为 _，少数载流子的运动称为 _。 （c ） A．自由电子，空穴；扩散，飘移 B．空穴，自由电子；漂移，扩散 C．空穴，自由电子；扩散，漂移 D．自由电子，空穴；漂移，扩散 E．自由电子，空穴；扩散，扩散

4.

当扩散运动与漂移运动达到动态平衡时， 即形成了 。当外加电压与内电场的方向相反 时，它呈 _状态，当外加电压与内电场的方向相同时，它将呈 _状态，即_具有单向导 电性。 （a ） A．PN 结；导通，截止； PN 结 B ．晶体管；截止，导通； PN 结 C． 晶体管；导通，截止；晶体管 D． PN 结；截止，导通；晶体管 E．晶体管；截止，导通；晶体管

5.

下列关于三极管的说法中，错误的是： （a ） A．三极管由三个 PN 结组成，分为 PNP 和 NPN 两种类型 B．三极管具有电流放大作用 C．晶体管输出特性分为三个区域：截止区、放大区、饱和区 D．发射结和集电结都正向偏置，三极管工作在饱和区； 发射结和集电结都反向偏置，三极管工作在截止区 E．发射结正偏，同时集电结反偏，三极管工作在放大区

5 下面所示三极管放大电路中，图 a 的电路属于 _ ，图 b 属于 _ 。 （c ）

A. 共发射极，共发射极 B. 共集电极，共基极 C. 共集电极，共发射极 D. 共发射极，共集电极 E. 共基极，共集电极

图 a

图 b

6 生物电信号具有的特点是 _；因此需要一种抗干扰能力强，可以放大低频信号甚至直流信号的放大电路，通常选用 _电路。 （ e ） A. 幅值小，频率低；加法放大器 B. 频率低，信噪比低；差动放大器 C. 幅值小，信噪比低；差动放大器 D. 幅值小，频率低，信噪比低；加法放大器 E. 幅值小，频率低，信噪比低；差动放大器

7 单级的放大作用是有限的，经常要把两个或两个以上的放大电路，串联起来组成多级放大电路，提高放大能力；常用的两级之间耦合方式有： （ d ） A. 阻容耦合 B. 直接耦合 C. 变压器耦合 D. 以上三项都有 E. 阻容耦合和直接耦合

6.

下列关于放大电路中的各种反馈说法错误的是： （ e ） A. 将放大电路输出的电压或电流信号的一部分或全部引回到输入端，与输入信号相叠加，称为反馈 B. 反相叠加使输入信号减弱，称为负反馈 C. 正相叠加使输入信号增强，称为正反馈 D. 负反馈可以提高放大倍数的稳定性、减小波形失真、展宽通频带 E. 在放大电路中使用负反馈，输入信号被反向叠加而衰减，相当于整体电路放大倍数增加

9 判断反馈的方式常用的是“短路法”，交直流放大电路的负反馈类型有： （ e ） A. 电流串联 B. 电流并联

C. 电压串联 D. 电压并联 E. 以上四种都是

7.

下列电路图中，哪个是反相比例运算电路： ( b )

A.

B.

C.

D.

E.

11 下列电路名称， 哪一个不是常用的运放电路： ( d )

A. 反相比例运算电路 B. 同相比例运算电路

C. 差动比例运算电路 D. 正弦波振荡电路

E. 积分电路，求和电路

12 下图所示的电路是常用的运放电路之一， 该电路称为： ( b )

A. 反相输入求和电路 B. 加减求和电路 C. 电压比较器 D. 积分电路 E. 微分电路

13 下列关于场效应管的说法中，错误的是： （b） A. 场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOSFE T） B. 场效应管工作于放大状态时，结型场效应管的栅极与源极之间的 PN 结是正向偏置 C. 一般来说，场效应管的输入电阻都比较高，结型高达 10⁷Ω，绝缘型高达 10⁹Ω D. 场效应管具有输入电阻高、温度稳定性好、噪声小等优点 E. 一般来说，场效应管的放大能力大都比较弱

14 下列说法中正确的是 （b） A. 正弦波发生电路只有 RC 振荡电路和 LC 振荡电路 B. 电感的感抗和电容的容抗统称为电抗 C. 非正弦波发生电路只有矩形波发生电路和三角波发生电路 D. RC 振荡电路用于产生高频正弦波信号 E. 产生振荡的必要条件是幅值条件

15 关于功率放大电路的说法中，错误的是 （e） A. 功率放大电路不仅要输出足够高的电压，还要输出足够大的电流 B. 功率放大电路要有较高的效率 C. 功率放大电路要尽量减小失真 D. OTL 功率放大电路省去了输出变压器 E. OCL 功率放大电路不能省去输出电容 C

16 下列说法中错误的是 （d） A. 简单直流电源一般由变压器、整流电路、滤波电路组成 B. 变压器的作用是将电网的交流电压变换为所需要的交流电压 C. 整流电路的作用是将正负交替的正弦交流电压整流成单方向的脉动直流电压 D. 双向可控硅的功能相当于两个单向可控硅同向并联，可双向导通 E. 滤波电路的作用是将单向脉动直流电压中的脉动成分滤掉，得到比较平滑的直流电压

17 下列说法中错误的是 （a） A. 单稳态触发器具有稳态和暂稳态两种相同的输出状态 B. 单稳态触发器可用于脉冲产生、整形、延时等

C. 施密特触发器可以把幅度变化缓慢的波形变成数字电路需要的方脉冲 D. 施密特触发器相当于一种电压比较器 E. 555 定时器具有价廉、体积小、使用灵活的优点

18 RS触发器的特性方程是 （a） A. Q=S+RQ B. Q=SQ+RQ C. Q=R+SQ